半导体工艺腔室及半导体工艺设备

本发明公开一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体、遮蔽件和承载装置，所述遮蔽件和所述承载装置可活动地设于所述腔室本体之内；在所述遮蔽件处于第一位置、且所述承载装置处于第三位置时，所述遮蔽件与所述承载装置相对，且所述遮蔽件、所述腔室本体和所述承载装置围成预清洗空间；在所述遮蔽件处于第二位置、且所述承载装置处于第四位置时，所述遮蔽件与所述承载装置错位分布，所述承载装置与所述腔室本体围成镀膜空间。上述方案能解决相关技术涉及的半导体工艺设备存在镀膜质量不佳的问题。