CNIPA.AI
返回搜索
档案

沉积掩模及用于制造其的方法和电子装置

发明专利有效
33浏览
20权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

裴水斌; 赵晟原

IPC 分类

C23C 16/04 (2006.01)C23C 16/40 (2006.01)C23C 16/34 (2006.01)

提供了一种沉积掩模及用于制造其的方法和电子装置。沉积掩模包括:掩模基底,包括半导体晶圆;第一涂覆膜,在掩模基底上;以及第二涂覆膜,在第一涂覆膜上,并且包括交替地布置的孔图案和掩模图案,其中,孔图案的上部宽度小于孔图案的下部宽度。