镓铝共掺杂n-ZnO/p-GaN异质结及制备和应用

本发明公开了镓铝共掺杂n‑ZnO/p‑GaN异质结及制备和应用，属于半导体技术领域。包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、u‑GaN层和p‑GaN层、ZnO籽晶层以及镓铝共掺杂ZnO纳米棒。通过p‑GaN层生长结束后进行高温分解步骤形成多孔GaN，进行旋涂ZnO种子层步骤，随后高温退火步骤进行生长ZnO纳米棒步骤，该方法利用了GaN多孔结构增加了异质结的接触面积，形成三维异质结构的性质，通过ZnO种子层的应用，降低了纳米棒生长对衬底晶格匹配度的要求，通过镓铝掺杂，有效调控了n‑ZnO与p‑GaN之间的能带结构，此外GaN多孔结构，为纳米棒垂直排列生长提供生长条件，提高感光面积，实现高的光电转化效率。