一种PECVD设备清洗方法、系统、设备及存储介质

本发明涉及PECVD设备清洗技术领域，本发明公开了一种PECVD设备清洗方法、系统、设备及存储介质，包括：基于膜层信息生成自由基调控参数和压力调控参数；基于自由基调控参数调整气体供应单元的气体配比及双远程等离子体源单元的等离子体源功率，以初始化腔体内部的自由基浓度分布；基于压力调控参数控制真空抽排单元对腔体进行分阶段抽真空，以初始化腔体内部压力场；控制双远程等离子体源单元对腔体内部进行原位清洗；待原位清洗完成后，通过检测单元获取腔体内部的清洗效果指标；若清洗效果指标显示清洗达标，则将腔体内部环境复位并生成清洗完成信号；本发明解决现有技术清洗不匹配、不彻底的问题，提升PECVD设备清洗质量。