环硅氧烷和由其制备的膜

公开了可用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺将低介电常数(低k)绝缘材料沉积到半导体器件的高纵横比间隙、沟槽、通孔和其它表面特征中的组合物。所述组合物可包含衍生自三甲基环三硅氧烷、四甲基环四硅氧烷或五甲基环五硅氧烷的烷氧基官能化的环硅氧烷。烷氧基官能化可包含1至10个碳原子。还公开了通过PECVD工艺沉积烷氧基官能化的环硅氧烷组合物的方法。最后，公开了在衬底上的包含可流动液体或低聚物的膜，其包含低聚或多聚的烷氧基官能化的环硅氧烷组合物。