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一种改善PECVD制备硅氧烷涂层外观质量的方法
发明专利有效
9权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
杨淼; 王兰喜; 李学磊; 王艺; 王志民; 李林; 李坤; 倪壮; 何延春; 王虎; 张虎林
IPC 分类
C23C 16/505 (2006.01)C23C 16/52 (2006.01)B05D 1/00 (2006.01)
本发明提供一种改善PECVD制备硅氧烷涂层外观质量的方法。在化学气象沉积反应初期阶段在真空室内充入氩气或氮气等惰性气体,优化气氛比例,防止单体过度反应,从而抑制白色粉末污染物的产生。通过该方法的实施,在镀制硅氧烷涂层过程中,可有效消除镀膜初期阶段的白色絮状污染,避免因污染导致的薄膜基材划伤缺陷和成品卷取褶皱问题,提高航天器防护薄膜材料的一致性与可靠性。
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