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一种抑制TiC生成的石墨烯/钛合金电子束熔覆涂层的制备方法和应用
发明专利有效
10权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
苏宝献; 赵镕洋; 王佳典; 沙浩男; 李剑钊; 吴哲; 范伟远; 刘旭; 朱国强; 姜博涛; 刘琛; 王亮; 苏彦庆
IPC 分类
C23C 24/10 (2006.01)
本发明公开了一种抑制TiC生成的石墨烯/钛合金电子束熔覆涂层的制备方法和应用,属于钛基复合材料及其制备技术领域。本发明解决了现有石墨烯对钛合金进行表面增强时易原位生成TiC相的技术问题。本发明通过SiC抑制石墨烯与钛合金的反应,从源头抑制C‑Ti反应路径,同时调控电子束电流参数实现对熔池深度的调控,从而控制C元素的稀释率使得其在基体内完全固溶而不生成TiC,实现无TiC相的涂层制备,继而使石墨烯片层结构完整保留,其自润滑、高机械强度的核心优势得以充分发挥,避免了因TiC生成导致的涂层性能折损。
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