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一种磁场增强型钨合金密封环的制造方法及钨合金密封环

发明专利有效
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

黄华伟; 冉从军; 魏琼林; 郭宇萧; 陈鹏

IPC 分类

C23C 28/02 (2006.01)C23C 14/16 (2006.01)C23C 18/16 (2006.01)F16J 9/26 (2006.01)

本发明公开了一种磁场增强型钨合金密封环的制造方法及钨合金密封环。制造方法包括以下步骤:制造出符合尺寸要求的钨合金基体;将钨合金基体进行预处理;将清洁后的钨合金基体放置在沉积室中,在沉积室中通过物理气相沉积的方式将第一软金属层沉积在钨合金基体的表面上;第一软金属层沉积完成后,再将钨合金基体放置在镀液中,通过化学镀的方式在第一软金属层上镀覆第二软金属层,在化学镀过时施加一个强度稳定的强磁场;第二软金属层加工完成后进行清洗,清洗完成后通过干燥得到钨合金密封环。外部磁场的引入产生了磁流体动力学效应,极大地增强了镀液中金属离子向工件表面的传质过程,使化学镀沉积速率提升20‑50%,显著缩短了生产周期,降低了成本。

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