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一种非那雄胺杂质C的合成方法
发明专利有效
7权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
何成胜; 俞永平; 章国林; 陈文腾; 熊春香
IPC 分类
C25B 3/05 (2021.01)C25B 3/07 (2021.01)C25B 3/09 (2021.01)C25B 3/20 (2021.01)
本发明提供一种非那雄胺杂质C的合成方法,是以非那雄胺(式F10)为起始原料,经电化学反应甲氧基化制得甲氧物(式F11),再高温真空消除制得杂质C。整体收率90%。本发明提供了一种全新的杂质C的合成方法,可用于高效制备非那雄胺杂质C的对照品。相较于原先杂质C对照品的获得方式,本发明极大提高了该杂质对照品的可获得性。本发明提供了一个新颖的中间体式F11化合物,通过其高温消除制得杂质C,具有高选择性高转化率,以及电化学装置简单易安装的特点,可以满足实验室及公斤级生产的需求。也为杂质C化合物的获取提高了一种新的合成思路。
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