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一种MIL-68金属有机框架/III-氮化物纳米柱阵列光阳极及其制备方法与应用

发明专利有效
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10权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

李国强; 李相融; 郑雯隽; 胡天涵

IPC 分类

C25B 11/095 (2021.01)C25B 1/04 (2021.01)C25B 1/55 (2021.01)C25B 11/059 (2021.01)B82Y 30/00 (2011.01)C02F 1/30 (2023.01)C02F 101/30 (2006.01)C02F 101/34 (2006.01)C02F 101/38 (2006.01)

本发明公开了一种MIL‑68金属有机框架/III‑氮化物纳米柱阵列光阳极及其制备方法与应用。该光阳极包括Si衬底、所述Si衬底上生长的InN或/和GaN纳米柱阵列,以及在所述纳米柱阵列表面原位生长的MIL‑68(In/Ga)金属有机框架层,其中所述MIL‑68(In/Ga)层呈三维柱状结构。本发明通过在III‑氮化物纳米柱阵列表面引入MIL‑68(In/Ga)金属有机框架,实现了界面的自驱动组装,显著增强了光电极的界面结合强度和电荷转移效率。本发明所述光阳极在光电化学水分解和有机污染物降解过程中表现出优异的稳定性和高效性,具有在新能源转化及环境治理中的广泛应用前景。

§ Ⅵ

专利附图

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