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镀镍的BC太阳能电池硅基底的制备方法、BC太阳能电池及光伏组件
发明专利有效
10权利要求 · 4 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
唐义武; 何秋霞; 关统州; 宋楠; 王丹萍
IPC 分类
C25D 3/12 (2006.01)C25D 7/12 (2006.01)C25D 3/16 (2006.01)C25D 17/02 (2006.01)C25D 17/00 (2006.01)H10F 71/00 (2025.01)H10F 77/20 (2025.01)H10F 77/30 (2025.01)
本发明提供了一种镀镍的BC太阳能电池硅基底的制备方法、BC太阳能电池及光伏组件,涉及太阳能电池技术领域。所述制备方法包括:以BC电池硅基底作为阴极,并使所述BC电池硅基底的待电镀一面与镍电镀液接触,先进行闪镀处理,再进行主镀处理,得到镀镍的BC太阳能电池硅基底。发明所述镀镍的BC太阳能电池硅基底的制备方法先进行闪镀,能快速在硅基底图形化区域覆盖上一层极薄的镍,构建一个附着牢固、孔隙率低的密封底层;再切换至主镀,电流分布更均匀,有利于镍离子向图形深处和中心区域扩散并沉积,从而获得更好的深镀能力和整体厚度均匀性,最终带来了附着力、均匀性及可靠性的全面提升。
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