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一种单晶硅棒制备用单晶硅生长炉

发明专利有效
10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

陈春成; 戚建静; 徐芳

IPC 分类

C30B 15/00 (2006.01)C30B 29/06 (2006.01)

本申请公开了一种单晶硅棒制备用单晶硅生长炉,包括基座、炉体、保护气体供应单元、第一驱动机构、炉盖、连接室、第二驱动机构、上副室、下副室、籽晶夹具提拉旋转单元、坩埚单元、坩埚驱动机构以及加热单元;第一驱动机构用于驱动炉盖移动,第二驱动机构用于驱动上副室移动;上副室和下副室之间通过副室驱动机构连接,下副室连接有升降座。本申请的单晶硅生长炉,能够实现更方便地下料,并且硅棒下料时需要的纵向的长度较小,从而对厂房的要求更低。并且能够实现上副室和下副室的水冷,并且当发生液体泄露时能够及时检测到,从而确保单晶硅生长的正常工作。

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