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一种提升采用冷却盘同时拉制多圈晶体时晶体直径均匀性的方法

发明专利有效
9权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

IPC 分类

C30B 15/22 (2006.01)C30B 15/20 (2006.01)C30B 29/06 (2006.01)

一种提升采用冷却盘同时拉制多圈晶体时晶体直径均匀性的方法,涉及人工晶体制备领域,本发明通过多套测径机构同步采集晶体冷却盘上每一圈晶体的直径数据Di,为每一圈直径Di分配一个可调系数Ki,将多圈直径偏差加权组合为新直径偏差,结合加权组合的直径偏差‑PID算法进行调节,本发明可灵活平衡多圈直径控制需求,有效的提升了晶体的合格率,满足生产对晶体直径精度的要求等。

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