大尺寸碳化硅单晶及其生长方法和装置

本发明提供大尺寸碳化硅单晶及其生长方法和装置。具体地，本发明的装置包括石墨坩埚主体和与石墨坩埚主体配合的石墨坩埚盖；其中：石墨坩埚盖自其顶壁起依次包括扩径部段和等径部段，扩径部段的内径自上而下逐渐增大；等径部段位于扩径部段下端，其内径恒定；其中等径部段的内径大于扩径部段的最小内径，且小于扩径部段的最大内径，其中，石墨坩埚盖的顶壁的内侧面用于固定籽晶。本发明解决现有坩埚装置在生长碳化硅单晶时扩径区存在碳包裹物而导致的类微管缺陷，同时解决坩埚主体中心区域的碳化硅粉料烧结引起的气相物质输运受阻、原料利用率低等问题。