低包裹物密度的碳化硅单晶制备装置

本发明提供了一种低包裹物密度的碳化硅单晶制备装置，包括坩埚本体、多孔石墨过滤板以及丝网过滤件。坩埚本体具有生长腔，所述坩埚本体中设有籽晶，所述籽晶位于所述生长腔的顶部；所述生长腔的底部用于盛放SiC多晶原料；多孔石墨过滤板设置在所述生长腔中，具有梯度空隙结构；丝网过滤件设置在所述生长腔中，且位于所述多孔石墨过滤板的上方；所述丝网过滤件的中心处具有缓冲腔；所述丝网过滤件的底部具有连通所述缓冲腔和所述生长腔的第一过滤位，顶部具有连通所述缓冲腔和所述生长腔的第二过滤位。本发明提供的低包裹物密度的碳化硅单晶制备装置通过多孔石墨过滤板与丝网过滤件协同作用，对碳颗粒进行充分过滤，有效的降低单晶碳包裹物密度。