用于SiC生长炉的籽晶静电吸附稳固装置

本发明涉及晶体生长技术领域，提供用于SiC生长炉的籽晶静电吸附稳固装置，包括：作为保护用壳体的壳体，所述壳体的底侧固定连接有用于吸附片状SiC籽晶的陶瓷吸附盘，所述陶瓷吸附盘由壳体内部所安装的放电电极供电，以令放电电极所产生的电场在作为陶瓷绝缘体的陶瓷吸附盘底侧表面产生极化电荷，籽晶表面感应出异性电荷，令籽晶通过库仑力吸附在所述陶瓷吸附盘的底侧。通过静电吸附方式替代传统机械夹持与粘接，从根本上消除了物理接触损伤和化学污染风险，确保籽晶表面完整性。陶瓷吸附盘作为绝缘载体，能够在高温环境下稳定产生均匀分布的极化电荷，使籽晶受力均衡，有效抑制生长过程中因应力不均导致的晶体缺陷。