一种稀土掺杂氟化物和纯氟化物晶体实现键合生长的方法

本发明涉及一种稀土掺杂氟化物和纯氟化物晶体实现键合生长的方法，属于晶体生长技术领域。针对现有晶体键合方法存在的对预键合面抛光质量要求高、键合界面折射率突变以及键合面积受限等技术问题，本发明选择纯氟化物基质晶体或稀土掺杂氟化物晶体中的一种作为籽晶，然后按照另一键合晶体组分的化学计量比称量、混合原料，并压制成原料块，最后将籽晶和原料块依次放入坩埚中，采用温度梯度法或坩埚下降法，实现稀土掺杂氟化物和纯氟化物晶体的键合生长，最终得到纯氟化物晶体与稀土离子掺杂氟化物晶体键合的复合晶体。这种方法生长的复合晶体避免了键合界面处的折射率突变，降低了复合晶体元件制备成本，提升了键合增益元件的激光性能。