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一种磷化铟籽晶的高精度制备方法

发明专利有效
10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

顾正伟; 晏善成; 刘鑫; 曹书生

IPC 分类

C30B 33/00 (2006.01)C30B 29/40 (2006.01)C30B 33/10 (2006.01)C30B 33/02 (2006.01)B28D 5/02 (2006.01)B28D 7/02 (2006.01)B28D 7/00 (2006.01)B24B 1/00 (2006.01)G01N 23/207 (2018.01)C09D 1/00 (2006.01)

本发明提供了一种磷化铟籽晶的高精度制备方法,该方法包括以下步骤:对磷化铟单晶锭进行晶向校准,然后使用空心钻头进行垂直钻孔形成圆柱形粗坯,将圆柱形粗坯进行酸洗预处理后抛光,将抛光后籽晶浸入涂覆液中生成致密抗氧化层,随后超声清洗、精密检测合格所得即为磷化铟籽晶。本发明通过晶向校准保障单晶生长轴向一致性,金刚石涂层空心钻头一步成型同步解决加工效率与热应力微裂纹问题,酸洗预处理为梯度抛光创造均匀基底,分级机械抛光与复合化学抛光协同消除亚表面损伤,辅以二氧化硅溶胶在乙醇调控下的阶梯固化形成致密抗氧化层最终达成半导体级标准,有效解决了效率低、精度差、损伤多三大行业痛点。

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