CNIPA.AI
返回搜索
档案

高速率低功耗光发射芯片及制作方法

发明专利有效
9浏览
10权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

李明; 王雅芹; 谢毓俊; 赵洸铭; 王鹏; 肖晔

IPC 分类

G02F 1/05 (2006.01)G02F 1/21 (2006.01)G02F 1/00 (2006.01)G02B 6/42 (2006.01)H10D 80/30 (2026.01)H10W 72/20 (2026.01)

本发明提供了一种高速率低功耗光发射芯片及制作方法,高速率低功耗光发射芯片包括:封装基底;互连封装基底,经由球焊倒装于封装基底的第一区域并与封装基底电气连接;硅基异质集成光芯片,经由球焊倒扣于封装基底的第二区域并与封装基底机械连接以及电气连接,第一区域与第二区域不重叠;电芯片,经由球焊倒装于互连封装基底和硅基异质集成光芯片上并与互连封装基底和硅基异质集成光芯片均电气连接。