一种半导体设备的温控方法、装置、设备及存储介质

本发明公开了一种半导体设备的温控方法、装置、设备及存储介质，涉及温控技术领域，包括：基于快速热处理炉在边缘红外观测环形区域的缝腔观测带亮度和晶圆的表面发射率，计算缝腔观测带亮度的等效辐射温度；求解出石英钟罩内缘的等效温度；基于等效辐射温度和石英钟罩内缘的等效温度，计算快速热处理炉中环形狭缝辐射腔向晶圆的晶圆边缘带传递的净辐射入热功率；基于净辐射入热功率求解出快速热处理炉的目标灯区功率置换向量。本发明能够提升晶圆边缘温控的主动性与精准性。