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一种SRAM读写辅助电路及SRAM存储系统
发明专利有效
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
郑遨金; 程平; 周戬
IPC 分类
G11C 11/419 (2006.01)G11C 11/4074 (2006.01)G11C 11/4096 (2006.01)
本申请提供一种SRAM读写辅助电路及SRAM存储系统,涉及寄存器技术领域,该SRAM读写辅助电路包括写辅助电路、读辅助电路以及控制模块,当处于读数据阶段时,控制模块用于向写辅助电路、读辅助电路下发送第一控制信号,关闭写辅助电路,驱动读辅助电路抬高SRAM阵列模块的电源电压,并拉低SRAM阵列模块的电源地电压。当处于写数据阶段时,控制模块用于向写辅助电路、读辅助电路发送第二控制信号,关闭读辅助电路,驱动写辅助电路拉低SRAM阵列模块的电源电压,并抬高SRAM阵列模块的电源地电压。基于此,本申请构建了一个外围辅助电路,以提高SRAM的抗干扰能力和读写稳定性。