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一种用于远程等离子氧化设备的腔体结构及其使用方法

发明专利有效
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

崔小康; 尹硕; 郭鑫; 周令义; 王美玲; 郭月娥

IPC 分类

H01J 37/32 (2006.01)

本发明公开了一种用于远程等离子氧化设备的腔体结构及其使用方法,其属于半导体设备技术领域,所述腔体结构包括凹陷的腔体,所述腔体内壁设有氧原子复合系数小于第一阈值的镀膜,所述腔体的侧壁上开设有等离子入口和传片口,所述腔体的底面上方固定设有金属环,所述金属环上方设有石英环,所述腔体的内部设有第一冷却组件。本发明通过在腔体设置氧原子复合系数小于第一阈值的镀膜,减少等离子体传输过程的损耗,提高活性氧原子的利用率,通过在腔体底面上增加金属环,提高底部石英环散热速率,提高晶圆加工过程晶圆温度均匀性,有助于提高晶圆膜厚均匀性。