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绝缘体上声表面波谐振器
发明专利有效
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
王园园; 汪泉; 张树民
IPC 分类
H03H 9/25 (2006.01)H03H 9/145 (2006.01)H03H 9/13 (2006.01)
本发明涉及5G/6G高频声表面波器件技术领域,特别涉及一种绝缘体上声表面波谐振器,包括衬底、设置于衬底上的压电层、设置于压电层上的高声阻抗及高声速层以及设置在高声阻抗及高声速层上的叉指电极,所述高声阻抗及高声速层完全覆盖压电层的上表面;本发明提供一种结构设计简单,能够有效减弱谐振峰左侧及反谐振峰右侧的寄生模式,提升了器件频率,且横向寄生模式在高频区的抑制难度得到明显降低的绝缘体上声表面波谐振器。