半导体元件的制备方法

本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一载体；形成具有一开口的一下支撑层在该载体上方；形成一第一电极在该开口内，其中该第一电极具有远离该载体的一上表面；形成邻接该第一电极的该上表面的一上支撑层；以及形成一电容器介电质以及一第二电极在该第一电极上。