一种半导体存储器件及其制作方法、电子设备

本申请涉及半导体领域，公开了一种半导体存储器件及其制作方法、电子设备，包括提供堆叠结构，堆叠结构包括沿第一方向间隔设置的多个牺牲层、以及沿与第一方向垂直的第二方向间隔排列的多个字线接触孔，每个字线接触孔贯穿堆叠结构，每个字线接触孔内填充隔离物质；去除多个牺牲层并在牺牲层所在的位置填充导电材料，得到多个字线层；去除各字线接触孔内的部分隔离物质，以在每个字线接触孔中暴露出多个字线层中的一个字线层；填充导电材料至多个字线接触孔内，以形成多个接触插塞，每个接触插塞与在其所在位置暴露出的字线层电连接。本申请能避免为不同高度字线层制作差异化字线接触孔所需的复杂光刻和刻蚀步骤；降低工艺复杂度，提高生产效率。