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晶体管及其制备方法

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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

莫中友; 陈莹洁; 李泽尧

IPC 分类

H10D 30/01 (2025.01)H10D 30/47 (2025.01)H10P 76/40 (2026.01)H10P 76/20 (2026.01)H10P 50/24 (2026.01)

本公开提供了一种晶体管及其制备方法。晶体管制备方法包括:在衬底上制作外延层;在外延层上制作复合掩膜层,复合掩膜层包括层叠在外延层上的第一掩膜子层和第二掩膜子层,第一掩膜子层为硅的化合物层,第二掩膜子层为光刻胶层;对复合掩膜层进行图形化处理,得到复合掩膜图案;在复合掩膜图案遮挡下,对外延层进行图形化处理,形成延伸到衬底的第一凹槽;去除所述复合掩膜图案。