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晶体管制备方法
发明专利有效
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10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
方龑; 孙建; 顾浩
IPC 分类
H10D 30/01 (2025.01)H10P 14/692 (2026.01)
本公开提供了一种晶体管制备方法。该方法包括：制作外延层；在外延层上制作第一金属层；采用TEOS作为前驱体，使用PECVD工艺在第一金属层上制作第三氧化硅介质层。
发明人
方龑; 孙建; 顾浩
IPC 分类
本公开提供了一种晶体管制备方法。该方法包括：制作外延层；在外延层上制作第一金属层；采用TEOS作为前驱体，使用PECVD工艺在第一金属层上制作第三氧化硅介质层。