半导体装置及其制造方法

一种半导体装置包括第一电极、第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、栅电极和第二电极。该栅电极具有与第二半导体区域相对的第一区域和与第三半导体区域相对的第二区域。该栅电极具有从第二区域的下表面到上表面的第一长度和从第一区域的下表面到上表面的第二长度，并且第一长度大于第二长度。