MOS器件及其制造方法

本发明涉及一种MOS器件及其制造方法。所述MOS器件包括堆叠于衬底上的至少两个介质层，其叠层对应于衬底上的MOS形成区贯穿设置有栅极沟槽，其中，沿远离衬底的方向，所述栅极沟槽在各介质层中的横截面面积逐层扩大，栅介质层和金属栅极依次堆叠设置并填充所述栅极沟槽。所述栅极沟槽为上宽下窄的倒梯形结构，有利于金属材料的填充，降低在栅极沟槽内形成的金属栅极出现空洞缺陷的风险，而且，所述栅极沟槽的底部横截面较小，可以依照沟道设计设置栅极沟槽的底部尺寸，避免了沟道尺寸变化对器件的影响，所述介质层的数量、厚度以及栅极沟槽在各介质层中的横截面大小可以根据需要适时调整，便于优化栅极沟槽以及金属栅极，可控性强。