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一种钙钛矿薄膜、钙钛矿太阳能电池及其制备工艺
发明专利有效
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
请求不公布姓名; 请求不公布姓名; 请求不公布姓名; 请求不公布姓名; 请求不公布姓名
IPC 分类
H10K 71/12 (2023.01)H10K 71/15 (2023.01)H10K 71/40 (2023.01)H10K 30/40 (2023.01)H10K 30/86 (2023.01)H10K 85/50 (2023.01)
本发明公开了一种钙钛矿薄膜、钙钛矿电池及其制备工艺，该钙钛矿薄膜的制备工艺包括对钙钛矿前驱体溶液进行等距退火工艺的步骤，该等距退火工艺的起始退火温度为50±2℃，终止退火温度为100±2℃，中间退火温度为与起始退火温度相差间隔温度m的温度，间隔温度m为（20~25℃）×n，其中，n的取值为1、2。通过该等距退火工艺，可分段优化钙钛矿薄膜的微观结构和缺陷态，进而改善钙钛矿薄膜的的均匀性、光吸收性，提高钙钛矿太阳能电池的填充因子、开路电压进而提高光电转换效率，同时还能够提高钙钛矿太阳能电池的环境储存稳定性。