一种基于CrBr的自旋过滤磁性隧道结

本发明提供一种基于CrBr的自旋过滤磁性隧道结，属于自旋电子器件技术领域。采用两种二维范德华层状材料构建，具体结构为：以金属性1T相多层MoSe作为非磁性NM电极，以半导体性双层CrBr作为隧道磁势垒层，形成“MoSe/双层CrBr/MoSe”的对称三明治结构；通过扩胞堆叠设计实现电极与势垒层的晶格匹配，通过外磁场调控双层CrBr的层间磁耦合态；利用界面电荷转移效应诱导CrBr的半金属性，形成“自旋过滤器”，使电子仅在PC态上自旋方向自由输运。本发明设计的MoSe/双层CrBr/MoSesf‑MTJ在高速、低功耗、微型化自旋电子器件领域具有良好的应用潜力。