一种阻变存储器及其制作方法

本申请涉及半导体领域，公开了一种阻变存储器及其制作方法，阻变存储器包括至少一个存储单元，存储单元包括第一金属互连层、第一介质层、第一阻变层、第二介质层、导电插塞、至少一个第一导电体和第二金属互连层；第一阻变层在通电后形成有导电细丝；第一阻变层和第二介质层位于第一介质层的上表面；第一阻变层和第一介质层具有贯穿第一阻变层和第一介质层的第一通孔，导电插塞位于第一通孔中，且与第一金属互连层电连接；第二介质层具有至少一个贯穿第二介质层厚度的第二通孔，第二通孔的侧壁与第一阻变层接触，每个第二通孔中分布有第一导电体，第一导电体与第二金属互连层电连接。本申请可以减少性能波动，利于精确控制电阻状态的转变。