一种半导体结构的制备方法

本发明提出一种半导体结构的制备方法，属于半导体领域，包括步骤：在衬底上依次形成掺杂层、垫氧化层和垫氮化层；刻蚀所述垫氮化层、所述垫氧化层、所述掺杂层和部分所述衬底，形成浅沟槽后，在所述浅沟槽内沉积绝缘材料，直至所述浅沟槽内的所述绝缘材料突出于所述垫氮化层；第一次平坦化所述绝缘材料直至暴露所述垫氮化层；依次刻蚀去除所述垫氮化层和所述垫氧化层，直至暴露所述掺杂层；在所述掺杂层和所述浅沟槽内的所述绝缘材料上沉积补偿绝缘材料；第二次平坦化所述补偿绝缘材料和所述绝缘材料直至暴露所述掺杂层，形成浅沟槽隔离结构；去除所述掺杂层。本发明提出的半导体结构的制备方法，能够改善浅沟槽隔离结构的边角凹陷现象。