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半导体结构及其形成方法
发明专利有效
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18权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
金吉松
IPC 分类
H10W 20/43 (2026.01)H10W 20/42 (2026.01)
一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底;在基底上形成互连线,用于与互连结构电连接;形成覆盖互连线顶面的生长层,生长层的材料与互连结构的材料相同;在生长层上形成互连结构,互连结构通过生长层与互连线电连接。本发明有利于保障半导体结构的性能。
发明人
金吉松
IPC 分类
一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底;在基底上形成互连线,用于与互连结构电连接;形成覆盖互连线顶面的生长层,生长层的材料与互连结构的材料相同;在生长层上形成互连结构,互连结构通过生长层与互连线电连接。本发明有利于保障半导体结构的性能。