返回搜索
档案
测试结构、测试结构的测试方法
发明专利有效
6浏览
20权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
申请人
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司; 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人
郭俊男
IPC 分类
H10W 46/00 (2026.01)H10P 74/00 (2026.01)
一种测试结构、测试结构的测试方法,其中测试结构包括:至少2个测试阵列单元,每个测试阵列单元中具有不同数量的晶体管;所有测试阵列单元中的晶体管的栅极、源极和衬底电连接;每个测试阵列单元中的晶体管的漏极电连接。通过设置多个测试阵列单元,且将所有测试阵列单元中的晶体管的栅极、源极和衬底电连接,以保证在对不同测试阵列单元进行量测时,引入的其他路径漏电流值接近,进而在后续计算过程中,能够将引入的其他路径漏电流值进行相互抵消,以此提升单个晶体管漏电流的计算精度。另外更多的测试阵列单元设置,有利于排除部分测试阵列单元异常漏电流带来的影响,以此提升单个晶体管漏电流的计算精度。