用于RDL的基于PSPI的图案化方法

本公开涉及用于RDL的基于PSPI的图案化方法。通过提供包括屏蔽层的半导体封装并使用激光在屏蔽层中形成槽而形成半导体器件。激光被开启并被暴露到屏蔽层，其中，激光的中心设置在屏蔽层的第一点上。激光在环路中移动，同时激光保留在屏蔽层上并暴露到屏蔽层。当激光的中心设置在屏蔽层的第二点上时，停止激光到屏蔽层的暴露。第一点和第二点之间的距离近似等于激光的半径。