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碳化硅粉料及其制备方法、碳化硅粉料合成组件及装置
发明专利有效
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10权利要求 · 3 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
刘晨
IPC 分类
C01B 32/984 (2017.01)B01J 19/18 (2006.01)B01J 19/00 (2006.01)
本申请涉及碳化硅生长技术领域,公开了碳化硅粉料及其制备方法、碳化硅粉料合成组件及装置,该碳化硅粉料的制备方法包括:将硅粉和碳粉进行混合,得到硅碳混合物;在持续通入甲烷气体的条件下,使所述硅碳混合物进行高温合成,得到碳化硅粉料。该制备方法操作简单,且制备得到的碳化硅粉料中的杂质含量可低于0.02ppm。