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一种混气结构及薄膜沉积设备
发明专利有效
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
魏佳楠; 柳雪; 阮大鹏
IPC 分类
C23C 16/455 (2006.01)
本发明提供了一种混气结构及薄膜沉积设备。混气结构包括:混气腔,设有出气口;至少一个进气罐,被设于所述混气腔内,并包括多个相互独立的缓冲腔,其中,每一所述缓冲腔分别具有对应的单向开口;以及多根进气管路,其中,每一所述进气管路的第一端分别连接至少一个气源,而其第二端穿过所述混气腔的外壁,以伸入对应的缓冲腔,并向所述对应的缓冲腔输入气体,以经由对应的单向开口向所述混气腔供气。