半导体封装件及其形成方法

在实施例中，方法包括：形成集成电路管芯，形成集成电路管芯包括：在衬底的前侧上方形成互连结构，互连结构包括光子组件和加热器，衬底包括半导体衬底上方的第一介电层；去除半导体衬底以暴露第一介电层的背侧；在第一介电层的背侧上方形成第二介电层；在第二介电层上方形成再分布结构，再分布结构延伸穿过第一介电层和第二介电层以电连接至互连结构；以及在再分布结构上方形成电连接件；将封装衬底附接至电连接件；以及将电子管芯附接在互连结构上方和封装衬底的前侧上方。本申请的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法。