推训一体SRAM数字存内计算架构

本发明提供了一种推训一体SRAM数字存内计算架构，包括推训一体SRAM数字存算核模块、WL驱动&前向‑输入驱动模块、BL驱动模块、前向‑输出模块、反向‑输入交换开关模块、反向‑输入驱动模块、反向‑输出模块和控制模块。推训一体SRAM数字存算核模块由多个转置SRAM数字存内计算模块组成，用于进行矩阵乘加计算，支持前向计算和反向计算同时进行；反向‑输入交换开关模块用于交换输入数据，实现对应转置权重矩阵的反向输入交换操作。本发明通过复用推训一体SRAM数字存算核模块，解决了前向和反向传播的计算密度和存储密度的均衡问题，实现训练和推理的高效切换，优化了计算能效和面积效率，提高了训练和推理的效率。