嵌入式闪存的存储单元器件阈值电压的调整方法

本发明涉及一种嵌入式闪存的存储单元器件阈值电压的调整方法，该闪存包括：存储阵列区和外围逻辑区，存储阵列区包含至少一个存储单元，该存储单元包含：一对叠置栅极和一对选择晶体管，叠置栅极包括：浮栅栅氧层、浮栅、介电层、和控制栅极；所述外围逻辑区包括高压和低压的逻辑区，高压或低压的逻辑区包含至少一个标准逻辑晶体管，它包括：逻辑栅氧层和逻辑栅极；所述闪存的存储器件阈值电压的调整方法包括两次全域离子注入，首次全域离子注入在形成浮栅栅氧层之前实施，注入离子的剂量是：能使存储单元器件的阈值电压达到所需要的数值；再次全域离子注入在形成浮栅之后、和逻辑栅氧层之前实施；两次注入离子的电类型相反但注入剂量相同。