一种SiC MOSFET振荡抑制电路

本发明公开一种SiC MOSFET振荡抑制电路，包括：双脉冲测试电路，第一、第二箝位电压电路，第一、第二启动电路，第一、第二能量回收电路，以及第一二极管D和第二二极管D。本发明创造性地提出基于双脉冲测试电路，通过设计箝位电压电路、启动电路和能量回收电路，以及二极管D控制，有效解决SiC MOSFET振荡抑制电路振荡抑制效果不明显、有源栅极驱动方式电路复杂、传统箝位RCD电路箝位电压峰值抑制效果不明显和能量回收过程中能量损失较多等问题。在器件关断过程中，该电路箝位电压部分不仅能很好地箝位住器件关断过程中的超调并抑制振荡，还能减小箝位电压的峰值，并具有更小的振荡峰值。