存储器、存储器的制作方法、半导体器件及电子设备

本申请提供了一种存储器、存储器的制作方法、半导体器件及电子设备。其中，存储器包括：衬底；设于衬底上的多层晶体管，每层晶体管均包括多个晶体管，每个晶体管均包括第一栅极、第二栅极、源极和漏极，源极和漏极相对设置，第一栅极和第二栅极均位于源极和漏极之间，任一层晶体管的第二栅极均相连，不同层的第二栅极之间绝缘隔离；设于衬底上的外围电路层，存储器中的每个晶体管的第二栅极均连接至外围电路层，外围电路层在衬底上的投影与至少一层晶体管在衬底上的投影具有重叠。本申请能够减少存储器的投影面积，从而提高存储器的存储密度。