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半导体存储器装置
发明专利有效
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
徐德泳; 姜奎彰
IPC 分类
H10B 12/00 (2023.01)G11C 11/40 (2006.01)
提供了一种半导体存储器装置。该装置包括:在N个层中的第一字线,第一字线从第一堆叠区域朝向第一阶梯区域延伸;在N个层中的第二字线,第二字线从第二堆叠区域朝向第二阶梯区域延伸;第一存储器单元,提供在第一堆叠区域中;第二存储器单元,提供在第二堆叠区域中;N个第一字线接触,在第一阶梯区域中连接到第一字线;以及N个第二字线接触,在第二阶梯区域中连接到第二字线。第一字线之中的第K层(K是从1到N的整数)中的第一字线和第二字线之中的第(N‑K+1)层中的第二字线共同连接到一个子字线驱动器。