一种半导体器件及其制备方法

本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，本申请的半导体器件，包括衬底以及分别设置于衬底相对两侧的漏极金属和漂移层，漂移层包括主元胞区和采样区，主元胞区用于设置VDMOS，采样区设置采样场效应管以及隔离结构，隔离结构包括环绕在采样场效应管外周的环形P阱，其中，衬底为碳化硅衬底。本申请提供的半导体器件及其制备方法，能够提高主元胞与采样元胞之间的隔离效果。