半导体器件及其制造方法

半导体器件包括：有源栅极结构，设置在衬底上方；第一源极/漏极部件，设置在有源栅极结构的两个相对侧处；介电栅极结构，设置在衬底上方，介电栅极结构和有源栅极结构沿着垂直于衬底的垂直方向彼此堆叠；以及第二源极/漏极部件，设置在介电栅极结构的两个相对侧处，其中，第一源极/漏极部件和第二源极/漏极部件具有不同的导电类型。本公开的实施还例涉及制造半导体器件的方法。