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半导体装置及其制造方法

发明专利有效
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§ Ⅰ

卷宗概要

发明人

黄泰钧; 鲁苏·斯帝芬

IPC 分类

H10F 39/95 (2025.01)G02B 6/42 (2006.01)H10F 77/40 (2025.01)H10F 77/00 (2025.01)H10F 71/00 (2025.01)

一种半导体装置及其制造方法,半导体装置包括一第一转换器结构、一第二转换器结构及一第一波导部分。该第一转换器结构用以调变一光学光以产生一第一经调变光。该第二转换器结构用以调变该第一经调变光以产生一第二经调变光。该第一波导部分用以使该第一经调变光自该第一转换器结构透射至该第二转换器结构,且沿着一第一方向为狭长的。该第一转换器结构、该第一波导部分及该第二转换器结构沿着该第一方向按次序配置。