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基于弹性波驱动的压电半导体数据存储器及其制备方法
发明专利有效
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§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
胡元太; 杨万里; 张松梁
IPC 分类
H10N 30/04 (2023.01)H10N 30/093 (2023.01)H10N 30/85 (2023.01)G11C 11/34 (2006.01)
本发明提出一种基于弹性波驱动的压电半导体数据存储器及其制备方法,当受到高频大载荷激励时,弹性波在压电半导体介质中传播,会引发强烈的非线性电声耦合效应,在波阵面前方生成类孤子电学结构:在单个周期内,多数载流子于波前局部累积后形成低电阻区域,该区域被判定为逻辑“1”;之后出现载流子耗尽的高电阻区域,此区域对应逻辑“0”。压电半导体数据存储器借助这种机制,成功实现了二进制信息的高效存储与可靠识别。该存储器的刷新时间能够达到纳秒级别,相较于传统数据存储器的毫秒级刷新时间,性能提升显著。