一种高良率存算一体阵列及其制备方法

本发明公开了一种高良率存算一体阵列及其制备方法，所述阵列包括衬底、场效应晶体管、阻挡层与阻变存储器；为一晶体管‑一忆阻器的1T1R阵列，制备方法包括：在衬底上制备设计好图案的底电极；在底电极表面使用原子层沉积氧化铪，作为介质层；在沉积完成的氧化铪表面转移单层二维MoS材料；对转移好的二维MoS材料进行图案化制备，完成具有多沟道的MoS阵列化制备；对底层的MoS晶体管阵列进行阻挡层沉积后，局域刻蚀，随后阻变层沉积并套刻顶电极，制备得到的1T1R器件具有优异的电学开关性能和显著改善的阻值均一性。