提高晶圆工艺稳定性的装置及方法

本发明提出了一种提高晶圆工艺稳定性的装置及方法，该装置包括：压环、框架晶圆、盖环，由上到下分布；框架晶圆，其包括依次连接的晶圆、衬底膜和承接环；第二状态前承接环的下表面与晶圆顶针接触，晶圆顶针的下端与顶针支撑环连接；顶针支撑环套设于腔体外部；腔体内设置下电极；压环，用于和盖环之间形成包裹衬底膜和承接环的空间，其可随顶针支撑环上下移动，其围成晶圆避让区域；盖环，用于承载压环、衬底膜和承接环，其与下电极连接并延伸出腔体，其与腔体连接，其上开设用于避让晶圆顶针的凹槽。本发明改善了衬底膜形变问题，提高了晶圆工艺稳定性。